STT

Đề tài

1

Thời gian: Lúc 13:00, Thứ Ba, ngày 16 tháng 4 năm 2024.

Địa điểm: Trường Đại học Quốc tế, Khu phố 6, Phường Linh Trung, Thành phố Thủ Đức

Đơn vị: Trường Đại học Quốc tế

Mã số đề tài: C2022-28-05

Tên đề tài: Anten thấu kính có độ lợi cao, điều khiển hướng bức xạ bằng điện tử, cho các ứng dụng làm việc tại dải tần X-band

Chủ nhiệm đề tài: PGS. TS. Nguyễn Bình Dương

Quyết định nghiệm thu số 285/ QĐ-ĐHQG ngày 31 tháng 3 năm 2024 của Giám đốc ĐHQG-HCM.

Chủ tịch Hội đồng: TS. Trịnh Xuân Dũng

Tóm tắt đề tài:

Anten có độ lợi cao (high gain), được sử dụng rộng rãi cho cho ứng dụng trong hệ thống thông tin liên lạc vệ tinh và hệ thống Radar. Đối với các hệ thống này, anten có khả năng thay đổihướng bức xạ là cần thiết. Việc thay đổi hướng bức xạ bằng điện tử cho phép nhiều ưu điểm hơn so với thay đổi hướng bằng cơ khí: tốc độ quét nhanh, chính xác, không bị rung. Anten thấu kính phẳng (transmitarray hay flat lens) hoạt động dựa trên nguyên lý bù pha để có thể tập trung năng lượngvào hướng mong muốn. Anten thấu kính phẳng có những ưu điểm như: có thể cung cấp độ lợi cao,gọn, nhẹ và khả năng tích hợp với các phần tử bán dẫn để thay đổi hướng bức xạ bằng điện tử.
Mục tiêu của đề tài là nghiên cứu đề xuất cấu trúc anten thấu kính phẳng (transmitarrayantenna) có đặc tính tốt, có kích thước nhỏ gọn, có thể thay đổi hướng bức xạ bằng điện tử nhằm đáp ứng được các yêu cầu ngày càng cao của các hệ thống thông tin lạc cũng như hệ thống Radar.Để đạt được mục tiêu này, đề tài cần hoàn thành 3 nội dung chính:
1. Khảo sát, nghiên cứu các công bố khoa học liên quan từ đó tính toán lý thuyết kết hợp mô phỏng nhằm đưa ra phần tử anten thấu kính phẳng. Tối ưu phần tử thấu kính.
2. Lựa chọn phần tử PIN diode phù hợp với phần tử thấu kính. Nghiên cứu ảnh hưởng đến tổn hao và pha khi kết hợp phần tử bán dẫn vào anten thấu kính. Chế tạo, đo đạc khả năng điều khiển pha thông qua điều khiển phần tử PIN diode.
3. Chế tạo và đo đạc anten thấu kính phẳng có khả năng điều khiển được hướng bức xạ bằng điện tử.
Tại thời điểm báo cáo, nhóm nghiên cứu đã thực hiện đề tài đúng theo tiến độ đã đăng ký.Trong đó, toàn bộ ba nội dung đã hoàn thành. Phần tử thấu kính được cấu tạo bởi 4 lớp kim loại gồm hai lớp hình chữ C và hai lớp có khe tròn kết hợp với khe hình chữ nhật. Bằng cách điểu khiển trạng thái ON/OFF của của 4 PIN diode, chúng ta sẽ đạt được ba trạng thái pha. Kích thước củaphần tử thấu kính đã được tối ưu bằng phần mềm mô phỏng trường điện từ và được kiểm chứng lạibằng đo đạc trong hệ thống ống dẫn sóng. Kết quả đo đạc cho thấy phần tử thấu kính có đặc tính phù hợp và khả năng đổi pha tốt trong băng tần X.