1.

Quyết định 1855/QĐ-ĐHQG ngày 28/12/2023 của Giám đốc ĐHQG-HCM bao gồm các thành viên cụ thể như sau:

• Chủ tịch Hội đồng: GS. TSKH. Lê Văn Hoàng, Trường Đại học Sư phạm TP. Hồ Chí Minh
• Ủy viên Phản biện: TS. Nguyễn Quốc Khánh, Trường Đại học Khoa học tự nhiên, ĐHQG-HCM
• Ủy viên Phản biện: TS. Phan Thị Ngọc Loan, Trường Đại học Sư phạm TP. Hồ Chí Minh
• Ủy viên Hội đồng: TS. Phan Bách Thắng, Trung tâm Nghiên cứu Vật liệu Cấu trúc Nano và Phân tử, ĐHQG-HCM
• Ủy viên Hội đồng: Phạm Thị Hải Miền, Trường Đại học Bách khoa, ĐHQG-HCM
• Ủy viên Hội đồng: PGS.TS. Huỳnh Thanh Công, Ban Khoa học và Công nghệ, ĐHQG-HCM
• Ủy viên Thư ký: TS. Nguyễn Huỳnh Thông, Trường Đại học Bách khoa, ĐHQG-HCM

– Nội dung 1: Khảo sát các tính chất điện tử và khả năng tạo khuyết tật của vật liệu SiC.

. Kết quả: Đã khảo sát các tính chất điện tử của màng tinh thể vật liệu SiC. Từ đó xác định được độ rộng vùng cấm, khả năng hình thành cấu trúc khuyết tật và các vị trí có liên kết bền vững trên bề mặt màng. Đồng thời xác định khả năng hấp phụ hydro của bề mặt.

– Nội dung 2: Khảo sát các tính chất điện tử và khả năng hấp phụ, lưu trữ hydro của vật liệu tetra-Ge.

. Kết quả: Đã nghiên cứu các tính chất điện tử của màng 2D tetra-Ge. Xác định được khả năng hình thành cấu trúc khuyết tật bề mặt. Đồng thời đã xác định khả năng hấp phụ hydro và các vị trí có liên kết bền vững trên bề mặt màng.

– Nội dung 3: Xác định sự hình thành các mô hình vật liệu hai lớp xoay của SiC, Ge và nghiên cứu các tính chất điện tử của vật liệu này.

. Kết quả: Đã khảo sát được sự hình thành các mô hình hai lớp xoay và nghiên cứu các tính chất điện tử của chúng.

* Sản phẩm mềm: 04 bảng số liệu cần đạt các tiêu chí cụ thể.

* Sản phẩm cứng: Không.

* Sản phẩm đào tạo và khoa học:

. 02 bài báo Q1 trên tạp chí ACS Omega;

. 01 bài báo Q2 trên tạp chí RSC Advances;

. 01 bài báo trên tạp chí thuộc HĐGSNN Communication in Physics;

. 01 bài báo trên kỷ yếu hội nghị The 8th International Workshop on Nanotechnology and Application (IWNA 2023);

. 03 báo cáo khoa học ở các hội nghị Asia Pacific Conference of Theoretical and Computational Chemistry (APATCC-10), The 8th International Workshop on Nanotechnology and Application (IWNA 2023), và The eighth Workshop of Vietnamese Students in Poland (WVSP2023).

. Đào tạo: 01 tiến sĩ, 03 thạc sỹ và 01 cử nhân.

Hình. Các dạng hấp phụ của hydro lên bề mặt SiC hai chiều

Hình. Chiều cao của các nguyên tử ở lớp trên và lớp dưới theo mô hình xoay 5.1° (a, b), 13.2° (c, d), và 21.8° (e, f)

Email: thuhanhsp@hcmut.edu.vn