KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Nghiệm thu đề tài cấp ĐHQG-HCM loại B tại Trường Đại học Bách khoa: Tổng hợp, đặc trưng cấu trúc, tính chất quang và tính nhạy khí của những cấu trúc nano (dây, tấm) ZnO siêu mỏng trên đế graphene và Si

1.

Tên đề tài: Tổng hợp, đặc trưng cấu trúc, tính chất quang và tính nhạy khí của những cấu trúc nano (dây, tấm) ZnO siêu mỏng trên đế graphene và Si
2. Mã số B2020-20-07
3. Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Trần Văn Khải
Nhóm nghiên cứu gồm: 1 PGS.TS, 1 TS, 2 ThS và 1 Kỹ sư.
4. Đơn vị: Trường Đại học Bách Khoa, ĐHQG-HCM
5. Lĩnh vực: Khoa học và Công nghệ Vật liệu
6. Loại hình : Nghiên cứu cơ bản
7. Thời gian thực hiện:

– Theo Hợp đồng đã ký kết: từ tháng 01/2019
đến tháng 01/2022.

– Được gia hạn: đến tháng 07/2023 (trong đó gia hạn: lần 1 đền 07/2022; lần 2 đến 12/2022; lần 3 đến 07/2023).

8. Kinh phí nghiên cứu: 500 triệu đồng
9 Thời gian nghiệm thu 15 giờ, ngày 11 tháng 09 năm 2023
10 Chủ tịch Hội đồng và quyết định thành lập HĐ

Quyết định số 1077/QĐ-ĐHQg ngày 09/8/2023 của Giám đốc ĐHQG-HCM về việc thành lập Hội đồng khoa học đánh giá nghiệm thu đề tài với các thành viên cụ thể như sau:

  • Chủ tịch: GS.TS. Phan Đình Tuấn (Trường Đại học Tài nguyên và Môi trường Tp.HCM).
  • Ủy viên Phản biện: PGS.TS. Trần Văn Mẫn (Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM).
  • Ủy viên Phản biện: PGS.TS. Nguyễn Đình Thành (Viện Khoa học Vật liệu Ứng dụng, Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam).
  • Ủy viên: PGS.TS. Bùi Xuân Vương (Trường Đại học Sài gòn).
  • Ủy viên: PGS.TS. Trần Ngọc Quyển (Viện Khoa học Vật liệu Ứng dụng, Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam)
  • Ủy viên: PGS.TS. Huỳnh Thanh Công (Ban Khoa học và Công nghệ, ĐHQG-HCM)
11. Nội dung thực hiện 

– Nội dung 1:  Lập quy trình công nghệ chế tạo nanographene oxide bằng phương pháp chỉnh sửa Hummor

Kết quả:

– Quy trình công nghệ hoàn chỉnh dưới dạng sơ đồ khối, đầy đủ thông số kỹ thuật. Vật liệu được tổng hợp có cấu trúc, thành phần hóa và tính năng rõ ràng.

– Đánh giá: Kích thước bế dày, bề rộng, thành phần hóa của tấm nano graphene oxide bằng FESEM, HR-TEM, Raman, XPS và XRD.

– Báo cáo kỹ thuật.

– Nội dung 2: Lấp quy trình công nghệ chế tạo màng graphene trên đế Si

Kết quả:

– Quy trình công nghệ hoàn chỉnh dưới dạng sơ đồ khối, đầy đủ thông số kỹ thuật.

– Đánh giá: Kích thước bế dày, hình thái học bề mặt của màng graphene bằng FESEM.

– Báo cáo kỹ thuật.

– Nội dung 3:

– Lập quy trình công nghệ chế tạo những dây, tấm nano ZnO

siêu mỏng trên đế Si và graphene/Si bằng phương pháp nhiệt bay hơi. Đánh giá cấu trúc, hình thái, kích thước

tinh thể, thành phần hóa của nano ZnO.

– Khảo sát chi tiết ảnh hương của các thông số thực nghiệm: Nhiệt độ và thời gian tổng hợp lên tính chất của vật liệu.

Kết quả:

– Quy trình công nghệ hoàn chỉnh chế tạo dây/tấm nano ZnO bằng phương pháp nhiệt bay hơi dưới dạng sơ đồ khối, đầy đủ thông số kỹ thuật.

– Đánh giá: Kích thước bế dày, đường kính dây, hình thái học bề mặt, cấu trúc và thành phần hóa của vật liệu ZnO được tổng hợp bằng FESEM, HR-TEM, Raman, XPS, XRD, FTIR.

– Báo cáo kỹ thuật.

– Nội dung 4: Chế tạo cảm biến và khảo sát tính nhạy khí của vật liệu ZnO/Si và ZnO-graphene.

Kết quả:

– Quy trình công nghệ hoàn chỉnh dưới dạng sơ đồ khối chế tạo mẫu cảm biến, đầy đủ thông số kỹ thuật.

– Chỉ ra được tính nhạy khí của ZnO/Si và ZnO/graphene đối với khí NO2: 5-50 pm ở 200oC.

– Báo cáo kỹ thuật.

– Nội dung 5:

Khảo sát tính chất phát quang của dây tấm/ nano ZnO/Si và ZnO-graphene/Si

Kết quả:

– Nghiên cứu tính chất quang phát quang của nano ZnO

– Báo cáo kỹ thuật.

12. Kết quả

* Sản phẩm mềm:

– Quy trình công nghệ chế tạo những dây, tấm nano ZnO siêu mỏng trên đế Si và graphene/Si bằng phương pháp nhiệt bay hơi.

– Quy trình công nghệ chế tạo màng graphene trên đế Si bằng phương pháp phun phủ.

* Sản phẩm cứng: Không.

* Sản phẩm đào tạo và khoa học:

02 Bài báo thuộc SCIE, Q2 (Tổng IF ~ 5.5): 01 Trên tap chí Crystals; 01 trên tạp chí Journal of Sol-Gel Science and Technology

02 Bài báo Tạp chí trong nước. Trên Tạp chí Công Thương.

. Đào tạo: 02 Thạc sỹ và 01 NCS.

13. Hình ảnh giới thiệu kết quả

Hình 1: Sơ đồ nguyên lý của hệ thiết bị nhiệt bay hơi và những cấu trúc dây/tấm nano ZnO siêu mỏng được chế tạo bằng phương pháp nhiệt bay hơi.

 

Hình 2: (a) Sự thay đổi điện trở cảm biến của dây nano ZnO/Si; (c) của dây/tấm ZnO/rGO/Si ở các nồng độ khí NO2 khác nhau được đo ở 200 oC. Đặc tính thời gian phản hồi (tresponse) và phục hồi (trescovery) của: (b) dây nano ZnO/Si; (d) của dây/tấm ZnO/rGO/Si khảo sát ở nồng độ 2 pm NO2 vận hành ở 200 oC.

14. Thông tin liên hệ CNĐT Email: tvkhai1509@hcmut.edu.vn
Điện thoại: 0703327675
15. Liên hệ ĐHQG-HCM Ban Khoa học và Công nghệ (Phòng 309, NĐH) và Trang điện tử thông tin về hoạt động KH&CN (https://research.vnuhcm.edu.vn/)

 

 

Trường ĐH Bách Khoa, ĐHQG-HCM

Scroll to Top